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韓国大田(テジョン)にて

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今日の翻訳 081216

今日、翻訳、アップロードした記事。

KAIST、次世代透明抵抗変化メモリー素子を開発
電子電算学部のイム・グァンス、パク・チェウ教授研究チーム

透明電子技術の基礎となる透明メモリー素子が大徳所在のKAISTの研究グループにより世界で初めて開発された。このほど開発された透明メモリー素子は世界第1位の携帯電話メーカーであるノキア社が提案している次世代透明携帯電話(Morphy)にも利用できることから関心を集めている。

KAIST(韓国科学技術院、総長 ソ・ナムピョ)電子電算学部のイム・グァンス、パク・チェウ教授チームは金属酸化物の抵抗変化を利用した次世代透明抵抗変化メモリー(TRRAM:Transparent Resistive Random Access Memory)素子の開発に成功したと12月15日に発表した。

今回の研究成果は米国・応用物理学会誌(Applied Physics Letters)12月号に発表され、米国物理学会(American Institute of Physics)からは注目の技術に選定された。

今回開発された透明メモリー素子はUSBタイプのフラッシュメモリーのように電源が切れても記録されたデータが消えることのない非揮発性メモリー素子と同様の種類。しかし透明のガラスや透明プラスチック基板上に透明の電極と透明の酸化物薄膜などで構成されており全体的に透明に見える。従来のシリコン基盤CMOS(金属酸化膜半導体素子を相補形に配置したゲート構造)フラッシュメモリー素子よりも製造工程がはるかに簡単で、使用可能年数も10年以上と見られている。

▲ KAISTが開発した透明メモリー
ⓒ2008 HelloDD.com
この透明メモリー素子は技術的にはすでに商業開発が進んでいる抵抗変化メモリー(RRAM)を応用したもの。透明メモリー素子は将来は透明電子技術において記録メディアとして核心的役割を果たすものと予想されているが、完全に透明なメモリー素子はいまだに研究開発が進んでいないことにKAIST電子電算学部博士課程のソ・ジョンウォン氏と指導教授のイム・グァンス教授、パク・チェウ教授らが着眼して研究開発を始め、今回開発に成功した。

研究チームの関係者は「将来の透明電子時代のもっとも基本的な記録メディアであるメモリー素子も透明であるべきとの趣旨で開発した」と話している。


「大徳ネット」
KAIST、次世代透明抵抗変化メモリー素子を開発

原文はこちら↓
'투명 전자시대' 성큼…KAIST '관련 소자' 세계 첫 개발


コメント:
この技術を利用してそのうち透明でグニャグニャ曲がる携帯電話が現われるかも知れません。
by eowjs | 2008-12-16 09:17 | 大田(テジョン)の今